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STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 5.18 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STH3N150-2

N. produttore:

STH3N150-2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Scheda dati:

STH3N150-2 Scheda dati (PDF)

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,18 €	5,18 €
	3,47 €	34,70 €
	2,50 €	250,00 €
	2,48 €	1.240,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,31 €	2.310,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-2
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.5 kV
Id - corrente di drain continua:	2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	29.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	140 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerMESH
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	61 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.6 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	47 ns
Serie:	STH3N150-2
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	45 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns
Peso unità:	4 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.