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STH290N4F6-2AG

Name: STMicroelectronics STH290N4F6-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH290N4F6-2AG
Price: 1.39 EUR
Availability: Discontinued

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N. Mouser:

511-STH290N4F6-2AG

N. produttore:

STH290N4F6-2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET LGS LV MOSFET

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Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

STH290N4F6-2AG Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-2
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	180 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	115 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	48 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	116 ns
Serie:	STH290N4F6-2AG
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	105 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STH290N4F6-2AG Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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