STGW80H65DFB-4

Name: STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW80H65DFB-4
Price: 7.1 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGW80H65DFB-4

N. produttore:

STGW80H65DFB-4

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

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Scheda dati:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.6 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	120 A
Pd - Dissipazione di potenza:	470 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGW80H65DFB-4
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	4,430 g