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STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 4.81 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGW75H65DFB2-4

N. produttore:

STGW75H65DFB2-4

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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Scheda dati:

STGW75H65DFB2-4 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	115 A
Pd - Dissipazione di potenza:	357 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	4,430 g

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Scheda dati

STGW75H65DFB2-4 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT a 1200 V field-stop trench-gate serie HB

Gli IGBT a 1200 V trench-gate Field-Stop STMicroelectronics Serie HB sono IGBT ad alta velocità sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di trench-gate Field-Stop. Questi dispositivi rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono un tempo di resistenza minimo ai cortocircuiti di 5 μs a T_J=150 °C, una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (V_ce(sat)) di soli 2,1 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE _(sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura. Gli IGBT Trench Gate Field-Stop serie H da 1200 V sono ideali per gruppi di continuità, macchine saldatrici, invertitori fotovoltaici, correzione del fattore di potenza e convertitori ad alta frequenza.
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