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STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 3.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGW30H65FB

N. produttore:

STGW30H65FB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Scheda dati:

STGW30H65FB Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,55 €	3,55 €
	2,00 €	20,00 €
	1,38 €	138,00 €
	1,27 €	762,00 €
	1,24 €	1.488,00 €
	1,20 €	3.600,00 €
	1,19 €	6.426,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.75 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	30 A
Pd - Dissipazione di potenza:	260 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGW30H65FB
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	60 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	38 g

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT a 650 V field-stop trench-gate serie HB

Gli IGBT a 650 V field-stop trench-gate STMicroelectronics Serie HB sono stati sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di field-stop trench-gate. Questi dispositivi rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (Vce_(sat)) di soli 1,6 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE _(sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura.
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