STGP5H60DF

STMicroelectronics
511-STGP5H60DF
STGP5H60DF

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP5H60DF
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max: 10 A
Corrente di perdita gate-emettitore: +/- 250 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 2 g
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT a 1200 V field-stop trench-gate serie HB

Gli IGBT a 1200 V trench-gate Field-Stop STMicroelectronics Serie HB sono IGBT ad alta velocità sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di trench-gate Field-Stop. Questi dispositivi rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono un tempo di resistenza minimo ai cortocircuiti di 5 μs a TJ=150 °C, una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (Vce(sat)) di soli 2,1 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE (sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura. Gli IGBT Trench Gate Field-Stop serie H da 1200 V sono ideali per gruppi di continuità, macchine saldatrici, invertitori fotovoltaici, correzione del fattore di potenza e convertitori ad alta frequenza.
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