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STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD5H60DF
Price: 0.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGD5H60DF

N. produttore:

STGD5H60DF

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Scheda dati:

STGD5H60DF Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,998 €	1,00 €
	0,626 €	6,26 €
	0,412 €	41,20 €
	0,353 €	176,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,299 €	747,50 €
	0,238 €	1.190,00 €
	0,229 €	2.290,00 €
	0,224 €	5.600,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.5 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	10 A
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGD5H60DF
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	10 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	+/- 250 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT a 1200 V field-stop trench-gate serie HB

Gli IGBT a 1200 V trench-gate Field-Stop STMicroelectronics Serie HB sono IGBT ad alta velocità sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di trench-gate Field-Stop. Questi dispositivi rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono un tempo di resistenza minimo ai cortocircuiti di 5 μs a T_J=150 °C, una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (V_ce(sat)) di soli 2,1 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE _(sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura. Gli IGBT Trench Gate Field-Stop serie H da 1200 V sono ideali per gruppi di continuità, macchine saldatrici, invertitori fotovoltaici, correzione del fattore di potenza e convertitori ad alta frequenza.
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