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STGB20M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB20M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB20M65DF2
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STGB20M65DF2

N. produttore:

STGB20M65DF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low loss IGBT

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Scheda dati:

STGB20M65DF2 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,30 €	2,30 €
	1,49 €	14,90 €
	1,02 €	102,00 €
	0,826 €	413,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,771 €	771,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	D2PAK-3
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.55 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	40 A
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STGB20M65DF2
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max:	40 A
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Corrente di perdita gate-emettitore:	250 uA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	IGBTs
Peso unità:	1,380 g