Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

STF11NM60ND

Name: STMicroelectronics STF11NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF11NM60ND
Price: 4.39 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STF11NM60ND

N. produttore:

STF11NM60ND

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Completa il tuo progetto

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

STF11NM60ND Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STF11NM60ND

A magazzino: 107

A magazzino:: 107 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 14 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 107 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,39 €	4,39 €
	2,55 €	25,50 €
	2,12 €	212,00 €
	2,04 €	1.020,00 €
	1,73 €	1.730,00 €
	1,69 €	8.450,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	450 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	30 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	90 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	FDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	7.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7 ns
Serie:	STF11NM60ND
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	16 ns
Peso unità:	2 g