STDRIVEG600W

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600W
STDRIVEG600W

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Ciclo di vita:
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marchio: STMicroelectronics
Tensione di uscita: 520 V
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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Attributi selezionati: 0

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Codici di conformità
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Non disponibile
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte   STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V. 

Disponibilità

A magazzino:
Non disponibile

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