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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 4.29 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

511-STDRIVEG600

N. produttore:

STDRIVEG600

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Driver di porta High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Scheda dati:

STDRIVEG600 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,29 €	4,29 €
	3,35 €	33,50 €
	2,95 €	73,75 €
	2,80 €	280,00 €
	2,67 €	667,50 €
	2,59 €	1.295,00 €
	2,45 €	2.450,00 €
	2,36 €	4.720,00 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

STDRIVEG600TR

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

3,50 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	5.5 A, 6 A
Tensione di alimentazione - Min.:	4.75 V
Tensione di alimentazione - Max.:	20 V
Tempo di salita:	7 ns
Tempo di caduta:	5 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di logica:	CMOS, TTL
Sensibili all’umidità:	Yes
Tensione di uscita:	520 V
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V.