STD8NM60N-1

STMicroelectronics
511-STD8NM60N-1
STD8NM60N-1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet
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Ciclo di vita:
Obsoleto
Scheda dati:
Modello ECAD:
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
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RoHS::  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
650 mOhms
- 25 V, 25 V
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 10 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 12 ns
Serie: STx8NM60N
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 40 ns
Tipico ritardo di accensione: 10 ns
Peso unità: 340 mg
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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