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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 4.6 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD80N240K6

N. produttore:

STD80N240K6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Scheda dati:

STD80N240K6 Scheda dati (PDF)

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,60 €	4,60 €
	3,19 €	31,90 €
	2,64 €	264,00 €
	2,23 €	1.115,00 €
	2,11 €	2.110,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	2,08 €	5.200,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	16 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	220 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	25.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	105 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6

Il MOSFET di potenza STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh™ K6 di STMicroelectronics offre un eccellente R_DS(on) x area e una bassa carica totale di gate (Q_g), consentendo velocità di commutazione elevate e basse perdite. Un diodo di protezione ESD integrato aumenta la robustezza complessiva del MOSFET STD80N240K6 fino alla classe 2 del modello HBM (Human Body Model). I MOSFET MDmesh K6 hanno una tensione di soglia ridotta rispetto alla precedente generazione MDmesh K5, consentendo una tensione di azionamento inferiore e quindi riducendo le perdite di potenza e aumentando l'efficienza principalmente per applicazioni di standby a zero watt. L'STD80N240K6 è ottimizzato per applicazioni di illuminazione basate sulla topologia flyback, come driver LED e lampade HID. Il dispositivo è anche ideale per adattatori e alimentatori per display a pannello piatto.

MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

I MOSFET di potenza MDmesh K6 a canale N di STMicroelectronics sono protetti da Zener e sottoposti a test a valanga al 100%. Questi MOSFET di potenza presentano una tensione di rottura drain-source minima di 800 V, una tensione gate-source di ±30 V e un intervallo di temperatura di giunzione operativa compreso tra -55 °C e 150 °C. I MOSFET di potenza MDmesh K6 presentano inoltre una pendenza di tensione di recupero del diodo di picco di 5 V/ns, una pendenza di corrente di recupero del diodo di picco di 100 A/µs e una robustezza MOSFET dv/dt di 120 V/ns. Le applicazioni tipiche includono notebook e AIO, convertitori flyback, adattatori per tablet e illuminazione a LED.