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STD6N60DM2

Name: STMicroelectronics STD6N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6N60DM2
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

511-STD6N60DM2

N. produttore:

STD6N60DM2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Scheda dati:

STD6N60DM2 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,75 €	1,75 €
	1,11 €	11,10 €
	0,745 €	74,50 €
	0,61 €	305,00 €
	0,534 €	534,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,453 €	1.132,50 €
	0,442 €	2.210,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	3.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.1 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.25 V
Qg - Carica del gate:	6.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	60 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	19.6 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.6 ns
Serie:	STD6N60DM2
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns
Tipico ritardo di accensione:	9.2 ns
Peso unità:	360 mg