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STD16N65M2

Name: STMicroelectronics STD16N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD16N65M2
Price: 2.44 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD16N65M2

N. produttore:

STD16N65M2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Scheda dati:

STD16N65M2 Scheda dati (PDF)

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,44 €	2,44 €
	1,58 €	15,80 €
	1,09 €	109,00 €
	0,894 €	447,00 €
	0,825 €	825,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,758 €	1.895,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	11 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	320 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	19.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	110 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11.3 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8.2 ns
Serie:	STD16N65M2
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	36 ns
Tipico ritardo di accensione:	11.3 ns
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

STD16N65M2 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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