STD140N6F7

STMicroelectronics
511-STD140N6F7
STD140N6F7

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 20 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 68 ns
Serie: STD140N6F7
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 39 ns
Tipico ritardo di accensione: 24 ns
Peso unità: 330 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa RDS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di RDS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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