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STB85NF55T4

Name: STMicroelectronics STB85NF55T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB85NF55
Price: 0.91 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STB85NF55

N. produttore:

STB85NF55T4

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp

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Scheda dati:

STB85NF55T4 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	55 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	150 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q100
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	35 ns
Transconduttanza diretta - Min:	120 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	100 ns
Serie:	STB85NF55
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	70 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB85NF55T4 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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