Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

STB80N4F6AG

Name: STMicroelectronics STB80N4F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB80N4F6AG
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STB80N4F6AG

N. produttore:

STB80N4F6AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET i

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

STB80N4F6AG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STB80N4F6AG

A magazzino: 856

A magazzino:: 856 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 26 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 856 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,36 €	13,60 €
	0,937 €	93,70 €
	0,756 €	378,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,612 €	612,00 €
	0,546 €	1.092,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	36 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	70 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11.9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7.6 ns
Serie:	STB80N4F6AG
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	46.1 ns
Tipico ritardo di accensione:	10.5 ns
Peso unità:	4 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

STB80N4F6AG Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
Maggiori informazioni