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STB6N80K5

Name: STMicroelectronics STB6N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB6N80K5
Price: 2.41 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STB6N80K5

N. produttore:

STB6N80K5

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Scheda dati:

STB6N80K5 Scheda dati (PDF)

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,41 €	2,41 €
	1,56 €	15,60 €
	1,10 €	110,00 €
	0,92 €	460,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,795 €	795,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	4.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.6 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	7.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	110 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	STB6N80K5
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	4 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET ad alta tensione SuperMESH™

I MOSFET di potenza STMicroelectronics a protezione Zener SuperMESH™ rappresentano l'estrema ottimizzazione della disposizione a striscia standard PowerMESH™. I MOSFET STMicroelectronics SuperMESH abbassano notevolmente la resistenza in conduzione, assicurando al contempo un'ottima capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti. I dispositivi SuperMESH hanno minima carica al gate e sono testati al 100% con il metodo avalanche. Offrono inoltre migliore protezione ESD e una nuova soglia per l'alta tensione. Questi MOSFET STMicroelectronics sono progettati per l'uso nelle applicazioni di switch.
Maggiori informazioni

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.