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STB33N60DM2

Name: STMicroelectronics STB33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB33N60DM2
Price: 4.52 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STB33N60DM2

N. produttore:

STB33N60DM2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Scheda dati:

STB33N60DM2 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,52 €	4,52 €
	3,01 €	30,10 €
	2,16 €	216,00 €
	2,06 €	1.030,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	1,76 €	1.760,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	130 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	43 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	STB33N60DM2
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	62 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Peso unità:	4 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N STx24N60DM2 FDmesh II Plus™

I MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics STx24N60DM2 FDmesh II Plus™ sono prodotti utilizzando una tecnologia di nuova generazione MDmesh™: la MDmesh II Plus™ a basso Qg. Questi rivoluzionari MOSFET di potenza uniscono una struttura verticale alla disposizione a striscia che consente una bassa resistenza in conduzione e carica del gate. Sono adatti per convertitori con esigenze di elevata efficienza e sono ideali per topologia a ponte e per convertitori a sfasamento ZVS.
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