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STB18NF30

Name: STMicroelectronics STB18NF30
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NF30
Price: 2.79 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STB18NF30

N. produttore:

STB18NF30

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

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Scheda dati:

STB18NF30 Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,79 €	2,79 €
	1,81 €	18,10 €
	1,38 €	138,00 €
	1,08 €	540,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,946 €	946,00 €
	0,915 €	1.830,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	330 V
Id - corrente di drain continua:	18 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	180 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	44 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q100
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	STB18NF30
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB18NF30 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET II™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET II™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with a gate structure. The resulting STripFET™ Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density. These STripFET™ Power MOSFETs are a well-established planar technology for high-efficiency, low-voltage systems.

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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