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STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 2.46 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STB120N4LF6

N. produttore:

STB120N4LF6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

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Scheda dati:

STB120N4LF6 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,46 €	2,46 €
	1,59 €	15,90 €
	1,10 €	110,00 €
	0,937 €	468,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	0,801 €	801,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	80 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	80 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	110 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q100
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	STB120N4LF6
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STB120N4LF6 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
Maggiori informazioni

AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.