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SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 1.97 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT105R70ILB

N. produttore:

SGT105R70ILB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Ciclo di vita:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-8
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	21.7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	105 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	4.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	158 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Confezione:	Reel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	9 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor