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RF2L16180CF2

Name: STMicroelectronics RF2L16180CF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF2L16180CF2
Price: 104.06 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-RF2L16180CF2

N. produttore:

RF2L16180CF2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Transistor RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

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Scheda dati:

RF2L16180CF2 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Transistor RF MOSFET
RoHS::
Polarità transistor:	N-Channel
Tecnologia:	Si
Vds - Tensione di rottura drain-source:	65 V
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1 Ohms
Frequenza di lavoro:	1.47 GHz
Guadagno:	17.5 dB
Potenza di uscita:	180 W
Temperatura di lavoro massima:	+ 200 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	B2-3
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Sensibili all’umidità:	Yes
Numero di canali:	1 Channel
Tipo di prodotto:	RF MOSFET Transistors
Quantità colli di fabbrica:	120
Sottocategoria:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source:	- 6 V to + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V