RF2L16180CB4

STMicroelectronics
511-RF2L16180CB4
RF2L16180CB4

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Ciclo di vita:
NRND:
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Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Transistor RF MOSFET
RoHS::  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Numero di canali: 1 Channel
Tipo di prodotto: RF MOSFET Transistors
Quantità colli di fabbrica: 120
Sottocategoria: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source: + 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2.5 V
Peso unità: 4 g
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistor di potenza LDMOS RFxL RF

I transistor di potenza LDMOS RFxL RF STMicroelectronics offrono prestazioni elevate per applicazioni multiple con diverse bande di frequenza. I transistor di potenza RF RFxL sono disponibili nei package B4E, B2 e LBB.