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M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 42.36 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-M2TP80M12W2-2LA

N. produttore:

M2TP80M12W2-2LA

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Moduli MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

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M2TP80M12W2-2LA Scheda dati (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Stile di montaggio:	Press Fit
Numero di canali:	6 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	114 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Altezza:	5.7 mm
Lunghezza:	44 mm
Prodotto:	Power Modules
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Qualifica:	AQG 324
Quantità colli di fabbrica:	11
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Vf - Tensione diretta:	1.1 V
Larghezza:	27.4 mm
Peso unità:	13 g

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA

Il modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA di STMicroelectronics dispone di una topologia trifase PFC 4-wire con NTC integrato, realizzato per lo stadio PFC dell'OBC in veicoli elettrici e ibridi. Il modulo di potenza integra sei MOSFET di potenza in carburo di silicio di seconda generazione. La rinomata tecnologia dei chip consente al M2TP80M12W2-2LA di STMicroelectronics di minimizzare le perdite di energia e di operare in una modalità ad alta frequenza di commutazione. Il modulo consente agli utenti di creare topologie complesse con alta densità di potenza e requisiti di alta efficienza.