EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Produttore:

Descrizione:
Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

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STMicroelectronics
Categoria prodotto: Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Marchio: STMicroelectronics
Dimensioni: 56 mm x 79 mm
Confezione: Bulk
Tipo di prodotto: Power Management IC Development Tools
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Development Tools
Peso unità: 100 g
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TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180

Scheda di valutazione EVLSTDRIVEG212

La scheda di valutazione EVLSTDRIVEG212 di STMicroelectronics è facile da utilizzare, nonché rapida e adatta per valutare le caratteristiche dello STDRIVEG212 che guida due interruttori GaN emode da 2,2 mΩ (tipico), 100 V in configurazione a mezza ponte. Lo STDRIVEG212 è un driver di gate a mezza ponte ad alta velocità da 220 V ottimizzato per la conduzione a 5 V di HEMT GaN in modalità avanzata. E' dotato di pin separati per il gate sink/sorgente a corrente elevata, LDO integrati, sottotensione, diodo bootstrap, avvio rapido laterale, protezione da sovratemperatura, pin di guasto/arresto e standby per supportare completamente le topologie di commutazione dura in un package QFN da 4 mm x 5 mm. La scheda EVLSTDRIVEG212 è inoltre adatta per valutare le caratteristiche dello STDRIVEG612.