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TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 3.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

227-TP70H300G4JSGBTR

N. produttore:

TP70H300G4JSGB-TR

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

Scheda dati:

TP70H300G4JSGB-TR Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Nome commerciale:	SuperGaN
Marchio:	Renesas Electronics
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Prodotto:	FETs
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN

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Scheda dati

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.