Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

RQ5E020SPTL

Name: ROHM Semiconductor RQ5E020SPTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5E020SPTL
Price: 0.7 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

755-RQ5E020SPTL

N. produttore:

RQ5E020SPTL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Pch -30V -2A Small Signal MOSFET

Scheda dati:

RQ5E020SPTL Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su ROHM Semiconductor RQ5E020SPTL

A magazzino: 2.438

A magazzino:: 2.438 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,705 €	0,71 €
	0,452 €	4,52 €
	0,293 €	29,30 €
	0,224 €	112,00 €
	0,204 €	204,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,155 €	465,00 €
	0,146 €	876,00 €
	0,142 €	1.278,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-346-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	120 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	4.3 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Alias n. parte:	RQ5E020SP
Peso unità:	12 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

RQ5E020SPTL Scheda dati

Application Notes

Application Note (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.