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RD3G04BBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G04BBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G04BBKHRBTL
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RD3G04BBKHRBTL

N. produttore:

RD3G04BBKHRBTL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET TO252 N-CH 40V 40A

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

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Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,644 €	64,40 €
	0,508 €	254,00 €
	0,465 €	465,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,418 €	1.045,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	40 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	14.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	53 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	8.9 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	37 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.