QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF bipolari DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

Scheda dati:
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Qorvo
Categoria prodotto: Transistor RF bipolari
RoHS::  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
Marchio: Qorvo
Sensibili all’umidità: Yes
Potenza di uscita: 34.7 W
Pd - Dissipazione di potenza: 29 dBm
Tipo di prodotto: RF Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 100
Sottocategoria: RF Transistors
Alias n. parte: QPD0020SR
Peso unità: 1,430 g
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistor di potenza RF GaN QPD0020

I transistor di potenza RF GaN QPD0020 di Qorvo  presentano un HEMT separato senza accoppiamento da 35 W GaN su SiC che opera da CC a 6 GHz su una guida di alimentazione da +48 V. I dispositivi sono adatti per applicazioni di stazioni base, radar e comunicazioni. I transistor supportano la modalità di funzionamento a impulsi e CW. Il QPD0020 può essere utilizzato nell'architettura Doherty per la fase finale di un amplificatore di potenza di una stazione base per piccoli sistemi a celle, microcelle e antenna attiva. Il QPD0020 può anche essere utilizzato come driver in un amplificatore di potenza di una stazione di base a macrocella.

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