PCDD08120G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD08120G1L2001
PCDD08120G1_L2_00001

Produttore:

Descrizione:
Diodi Schottky SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Panjit
Categoria prodotto: Diodi Schottky SiC
RoHS::  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
8 A
1.2 kV
1.5 V
560 A
6 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Panjit
Pd - Dissipazione di potenza: 156.3 W
Tipo di prodotto: SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Diodes & Rectifiers
Peso unità: 321,700 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.