Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

PSMN2R0-30BL,118

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

771-PSMN2R0-30BL,118

N. produttore:

PSMN2R0-30BL,118

Produttore:

Nexperia

Descrizione:

MOSFET Std N-chanMOSFET

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

PSMN2R0-30BL,118 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Avviso di spedizione:

Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.

Disponibilità

A magazzino:: Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Nexperia
Categoria prodotto:	MOSFET
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Nexperia
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	934066341118
Peso unità:	4 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtra documento:

Scheda dati

PSMN2R0-30BL,118 Scheda dati (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
Learn More

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs