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MRF1K50NR5

Name: NXP MRF1K50NR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50NR5
Price: 335.57 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

841-MRF1K50NR5

N. produttore:

MRF1K50NR5

Produttore:

NXP Semiconductors

Descrizione:

Transistor RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Scheda dati:

MRF1K50NR5 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	NXP
Categoria prodotto:	Transistor RF MOSFET
RoHS::
Polarità transistor:	N-Channel
Tecnologia:	Si
Id - corrente di drain continua:	36 A
Vds - Tensione di rottura drain-source:	133 V
Frequenza di lavoro:	1.8 MHz to 500 MHz
Guadagno:	23 dB
Potenza di uscita:	1.5 kW
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	OM-1230-4
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	NXP Semiconductors
Transconduttanza diretta - Min:	33.5 S
Sensibili all’umidità:	Yes
Numero di canali:	2 Channel
Pd - Dissipazione di potenza:	2.941 kW
Tipo di prodotto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF1K50N
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensione gate-source:	+ 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.7 V
Alias n. parte:	935318822578
Peso unità:	5,281 g

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Scheda dati

MRF1K50NR5 Scheda dati (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections.