MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology
494-120HM31CT3AG
MSCSM120HM31CT3AG

Produttore:

Descrizione:
Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Microchip
Categoria prodotto: Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::  
MOSFET-SiC SBD Modules
Full Bridge
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marchio: Microchip Technology
Tempo di caduta: 25 ns
Id - corrente di drain continua: 89 A
Pd - Dissipazione di potenza: 395 W
Tipo di prodotto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 31 mOhms
Tempo di salita: 30 ns
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor: N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 50 ns
Tipico ritardo di accensione: 30 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1.8 V
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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99