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MSCSM120AM11CT3AG

Name: Microchip MSCSM120AM11CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120AM11CT3AG
Price: 247.36 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

494-120AM11CT3AG

N. produttore:

MSCSM120AM11CT3AG

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

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Scheda dati:

MSCSM120AM11CT3AG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 25 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SP3F
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Bulk
Marchio:	Microchip Technology
Tempo di caduta:	25 ns
Id - corrente di drain continua:	254 A
Pd - Dissipazione di potenza:	1.067 kW
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.4 mOhms
Tempo di salita:	30 ns
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	50 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V