MSCSM120AM042CD3AG

Microchip Technology
494-120AM042CD3AG
MSCSM120AM042CD3AG

Produttore:

Descrizione:
Moduli a semiconduttori discreti PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Microchip
Categoria prodotto: Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
D3
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marchio: Microchip Technology
Tempo di caduta: 67 ns
Id - corrente di drain continua: 495 A
Pd - Dissipazione di potenza: 2.031 kW
Tipo di prodotto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 5.2 mOhms
Tempo di salita: 55 ns
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Discrete Semiconductor Modules
Polarità transistor: N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 166 ns
Tipico ritardo di accensione: 56 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1.8 V
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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99