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MSC180SMA120SCT/R

Name: Microchip MSC180SMA120SCT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC180SMA120SCTR
Price: 8.36 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

579-MSC180SMA120SCTR

N. produttore:

MSC180SMA120SCT/R

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

MSC180SMA120SCT/R Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PSMT-16
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	22 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	225 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V to 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	36 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	154 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 ns
Confezione:	Reel
Prodotto:	SiC MOSFETS
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	15 ns
Quantità colli di fabbrica:	1300
Sottocategoria:	Transistors
Polarità transistor:	N-Channel
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns

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Scheda dati

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Codici di conformità

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Non disponibile
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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MSC180SMA120SCT/R

Produttore: Microchip Technology

Descrizione: MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT

Caratteristiche tecniche

Documenti (1)

Scheda dati

Documenti ambientali

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