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MSC090SMA070B

Name: Microchip MSC090SMA070B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC090SMA070B
Price: 3.75 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

494-MSC090SMA070B

N. produttore:

MSC090SMA070B

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247

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Scheda dati:

MSC090SMA070B Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,75 €	3,75 €
	3,46 €	103,80 €
	3,01 €	361,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	28 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	111 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.9 V
Qg - Carica del gate:	38 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	90 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Peso unità:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology sono un'opzione innovativa per i progettisti di elettronica di potenza che cercano di migliorare l'efficienza del sistema, il fattore di forma più piccolo e la temperatura di esercizio più elevata nei prodotti che coprono i segmenti di mercato industriale, medico, militare/aerospaziale, aeronautico e delle comunicazioni. I MOSFET SiC e i diodi a barriera Schottky (SBD) di nuova generazione di Microchip sono progettati con un'elevata capacità di commutazione induttiva non bloccata (UIS) e i suoi MOSFET SiC mantengono un'elevata capacità UIS da circa 10 J/cm² a 15 J/cm² e una robusta protezione dai cortocircuiti a 3 ms a 5 ms. Gli SBD SiC di Microchip Technology sono progettati con corrente di sovraccarico bilanciata, tensione diretta, resistenza termica e capacità termica nominale a bassa corrente inversa per una minore perdita di commutazione. Inoltre, i MOSFET SiC e gli SBD SiC possono essere accoppiati insieme per l'uso nei moduli.

MOSFET al carburo di silicio (SiC)

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) Microchip Technology offre prestazioni termiche e dinamiche superiori rispetto ai MOSFET di potenza in silicio (Si) convenzionali. Questi MOSFET hanno bassa capacità, bassa carica del gate, velocità di commutazione elevata e buona robustezza a valanga. I MOSFET SiC possono stabilizzare il funzionamento ad alta temperatura di giunzione di 175°C. Questi MOSFET forniscono alta efficienza con basse perdite di commutazione. I MOSFET SiC non richiedono diodi a rotazione libera. Le applicazioni tipiche includono la trasmissione e la distribuzione di reti intelligenti, il riscaldamento e la saldatura a induzione, l’alimentazione e la distribuzione.