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MSC080SMA120SDT/R

Name: Microchip MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA120SDTR
Price: 7.84 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

579-MSC080SMA120SDTR

N. produttore:

MSC080SMA120SDT/R

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-263-7 XL

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

MSC080SMA120SDT/R Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	43 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	268 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12 ns
Confezione:	Reel
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	10 ns
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns