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MSC080SMA120S

Name: Microchip MSC080SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC080SMA120S
Price: 11.81 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

494-MSC080SMA120S

N. produttore:

MSC080SMA120S

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268

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Scheda dati:

MSC080SMA120S Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,81 €	11,81 €
	10,89 €	326,70 €
	9,47 €	1.136,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	35 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	182 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Peso unità:	6,200 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology sono un'opzione innovativa per i progettisti di elettronica di potenza che cercano di migliorare l'efficienza del sistema, il fattore di forma più piccolo e la temperatura di esercizio più elevata nei prodotti che coprono i segmenti di mercato industriale, medico, militare/aerospaziale, aeronautico e delle comunicazioni. I MOSFET SiC e i diodi a barriera Schottky (SBD) di nuova generazione di Microchip sono progettati con un'elevata capacità di commutazione induttiva non bloccata (UIS) e i suoi MOSFET SiC mantengono un'elevata capacità UIS da circa 10 J/cm² a 15 J/cm² e una robusta protezione dai cortocircuiti a 3 ms a 5 ms. Gli SBD SiC di Microchip Technology sono progettati con corrente di sovraccarico bilanciata, tensione diretta, resistenza termica e capacità termica nominale a bassa corrente inversa per una minore perdita di commutazione. Inoltre, i MOSFET SiC e gli SBD SiC possono essere accoppiati insieme per l'uso nei moduli.

MOSFET al carburo di silicio (SiC)

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) Microchip Technology offre prestazioni termiche e dinamiche superiori rispetto ai MOSFET di potenza in silicio (Si) convenzionali. Questi MOSFET hanno bassa capacità, bassa carica del gate, velocità di commutazione elevata e buona robustezza a valanga. I MOSFET SiC possono stabilizzare il funzionamento ad alta temperatura di giunzione di 175°C. Questi MOSFET forniscono alta efficienza con basse perdite di commutazione. I MOSFET SiC non richiedono diodi a rotazione libera. Le applicazioni tipiche includono la trasmissione e la distribuzione di reti intelligenti, il riscaldamento e la saldatura a induzione, l’alimentazione e la distribuzione.