Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MSC050SDA120S

Name: Microchip MSC050SDA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120S
Price: 15.35 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

494-MSC050SDA120S

N. produttore:

MSC050SDA120S

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

Scheda dati:

MSC050SDA120S Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Microchip Technology MSC050SDA120S

A magazzino: 70

A magazzino:: 70 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 8 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	15,35 €	15,35 €
	14,16 €	424,80 €
	12,32 €	1.478,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	50 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	290 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Confezione:	Tube
Marchio:	Microchip Technology
Pd - Dissipazione di potenza:	429 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MSC050SDA120S Scheda dati (PDF)

DTS

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology sono un'opzione innovativa per i progettisti di elettronica di potenza che cercano di migliorare l'efficienza del sistema, il fattore di forma più piccolo e la temperatura di esercizio più elevata nei prodotti che coprono i segmenti di mercato industriale, medico, militare/aerospaziale, aeronautico e delle comunicazioni. I MOSFET SiC e i diodi a barriera Schottky (SBD) di nuova generazione di Microchip sono progettati con un'elevata capacità di commutazione induttiva non bloccata (UIS) e i suoi MOSFET SiC mantengono un'elevata capacità UIS da circa 10 J/cm² a 15 J/cm² e una robusta protezione dai cortocircuiti a 3 ms a 5 ms. Gli SBD SiC di Microchip Technology sono progettati con corrente di sovraccarico bilanciata, tensione diretta, resistenza termica e capacità termica nominale a bassa corrente inversa per una minore perdita di commutazione. Inoltre, i MOSFET SiC e gli SBD SiC possono essere accoppiati insieme per l'uso nei moduli.