Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MSC035SMA070S

Name: Microchip MSC035SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA070S
Price: 7.65 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

494-MSC035SMA070S

N. produttore:

MSC035SMA070S

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

Scheda dati:

MSC035SMA070S Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Microchip Technology MSC035SMA070S

A magazzino: 98

A magazzino:: 98 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 8 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Le quantità superiori a 98 saranno soggette a requisiti di ordini minimi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,65 €	7,65 €
	7,05 €	70,50 €
	6,70 €	201,00 €
	6,13 €	735,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	65 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	44 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.9 V
Qg - Carica del gate:	99 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	206 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Peso unità:	6,200 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MSC035SMA070S Scheda dati (PDF)

DTS

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Semiconduttori al carburo di silicio (SiC)

I semiconduttori al carburo di silicio (SiC) di Microchip Technology sono un'opzione innovativa per i progettisti di elettronica di potenza che cercano di migliorare l'efficienza del sistema, il fattore di forma più piccolo e la temperatura di esercizio più elevata nei prodotti che coprono i segmenti di mercato industriale, medico, militare/aerospaziale, aeronautico e delle comunicazioni. I MOSFET SiC e i diodi a barriera Schottky (SBD) di nuova generazione di Microchip sono progettati con un'elevata capacità di commutazione induttiva non bloccata (UIS) e i suoi MOSFET SiC mantengono un'elevata capacità UIS da circa 10 J/cm² a 15 J/cm² e una robusta protezione dai cortocircuiti a 3 ms a 5 ms. Gli SBD SiC di Microchip Technology sono progettati con corrente di sovraccarico bilanciata, tensione diretta, resistenza termica e capacità termica nominale a bassa corrente inversa per una minore perdita di commutazione. Inoltre, i MOSFET SiC e gli SBD SiC possono essere accoppiati insieme per l'uso nei moduli.

MOSFET al carburo di silicio (SiC)

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) Microchip Technology offre prestazioni termiche e dinamiche superiori rispetto ai MOSFET di potenza in silicio (Si) convenzionali. Questi MOSFET hanno bassa capacità, bassa carica del gate, velocità di commutazione elevata e buona robustezza a valanga. I MOSFET SiC possono stabilizzare il funzionamento ad alta temperatura di giunzione di 175°C. Questi MOSFET forniscono alta efficienza con basse perdite di commutazione. I MOSFET SiC non richiedono diodi a rotazione libera. Le applicazioni tipiche includono la trasmissione e la distribuzione di reti intelligenti, il riscaldamento e la saldatura a induzione, l’alimentazione e la distribuzione.