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MSC025SMA120B4

Name: Microchip MSC025SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120B4
Price: 32.44 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

494-MSC025SMA120B4

N. produttore:

MSC025SMA120B4

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

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Scheda dati:

MSC025SMA120B4 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	32,44 €	32,44 €
	30,78 €	307,80 €
	29,05 €	871,50 €
	28,35 €	3.402,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	103 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	31 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	232 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	10 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	35 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns
Peso unità:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.