Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

MSC010SDA070S

Name: Microchip MSC010SDA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC010SDA070S
Price: 2.3 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

579-MSC010SDA070S

N. produttore:

MSC010SDA070S

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

Scheda dati:

MSC010SDA070S Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 4 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Immetti la quantità:

Minimo: 270 Multipli: 30

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,30 €	621,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-268-3
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	24 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	700 V
Vf - Tensione diretta:	1.5 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	58 A
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	Microchip Technology
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	Not Available
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	700 V

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

MSC010SDA070S Scheda dati (PDF)

DTS

Visualizza nel selettore degli strumenti di sviluppo

PCN

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.