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APT10026L2FLLG

Name: Microchip APT10026L2FLLG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT10026L2FLLG
Price: 64.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

494-APT10026L2FLLG

N. produttore:

APT10026L2FLLG

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET FREDFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX

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Scheda dati:

APT10026L2FLLG Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-264-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1 kV
Id - corrente di drain continua:	38 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	260 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	267 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	893 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Microchip Technology
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	39 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Peso unità:	10 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET

Microsemi / Microchip APT10026L2FLL Power MOS 7^® FREDFET is a low loss and high voltage N-channel enhancement mode power MOSFET. This power MOSFET provides 1000V V_DSS, 38A I_D, and 0.26Ω R_DS(on). The Power MOS 7 lowers the R_DS(ON) and Q_g to control the conduction and switching losses. This MOSFETcombines low conduction and switching losses with fast switching speeds inherent with metal gate structure. The APT10026L2FLL Power MOS 7 FREDFET is available in a TO-264 MAX package and is easy to drive. Other features include low input capacitance, lower miller capacitance, and increased power dissipation.