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WST4300D-GP4

Name: MACOM WST4300D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4300D-GP4
Price: 231.03 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

937-WST4300D-GP4

N. produttore:

WST4300D-GP4

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

WST4300D-GP4 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	84 V
Id - corrente di drain continua:	4.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	110 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 2 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Marchio:	MACOM
Configurazione:	Single
Guadagno:	20 dB
Frequenza di lavoro massima:	6 GHz
Frequenza di lavoro minima:	DC
Potenza di uscita:	89.13 W
Prodotto:	GaN FETs
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN, SiC
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.