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GTRA362802FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362802FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362802FCV1R0
Price: 210.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-GTRA362802FCV1R0

N. produttore:

GTRA362802FC-V1-R0

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Scheda dati:

GTRA362802FC-V1-R0 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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	210,55 €	210,55 €
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	154,28 €	7.714,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	H-37248C-4
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	125 V
Id - corrente di drain continua:	5.4 A
Temperatura di lavoro massima:	+ 225 C
Marchio:	MACOM
Guadagno:	13.5 dB
Frequenza di lavoro massima:	3.6 GHz
Frequenza di lavoro minima:	3.4 GHz
Potenza di uscita:	280 W
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V to 2 V

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

FET JFET e LDMOS RF 5G

I transistor a effetto di campo (JFET) di giunzione RF 5G di MACOM e i FET a semiconduttori in ossido di metallo (LDMOS) distribuiti lateralmente sono transistor ad alta potenza termicamente avanzati per la prossima generazione di trasmissione wireless. Questi dispositivi sono caratterizzati dalla tecnologia dei transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) GaN su SiC, dalla corrispondenza degli ingressi, dall'elevata efficienza e da un package a montaggio superficiale termicamente migliorato con flangia earless. I JFET e i FET LDMOS RF 5G di MACOM sono ideali sono ideali per l'uso in applicazioni di amplificatori di potenza cellulari multi-standard.