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SPW55N80C3FKSA1

Name: Infineon SPW55N80C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-SPW55N80C3FKSA1
Price: 12.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-SPW55N80C3FKSA1

N. produttore:

SPW55N80C3FKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3

Scheda dati:

SPW55N80C3FKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	12,38 €	12,38 €
	7,59 €	75,90 €
	7,54 €	754,00 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

SPW55N80C3

Imballaggio:

Tube

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

12,75 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	54.9 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	77 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	288 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolMOS
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Serie:	CoolMOS C3
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	200 ns
Tipico ritardo di accensione:	45 ns
Alias n. parte:	SPW55N80C3 SP000849356
Peso unità:	6 g