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IQE030N06NM5SCATMA1

Name: Infineon IQE030N06NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQE030N06NM5SCAT
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IQE030N06NM5SCAT

N. produttore:

IQE030N06NM5SCATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET 60V

Scheda dati:

IQE030N06NM5SCATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 6000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,20 €	3,20 €
	2,10 €	21,00 €
	1,47 €	147,00 €
	1,30 €	650,00 €
	1,20 €	1.200,00 €
	1,14 €	2.850,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 6000)
	1,10 €	6.600,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WHSON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	21 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.3 V
Qg - Carica del gate:	49 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Tempo di caduta:	5.7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	66 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.7 ns
Quantità colli di fabbrica:	6000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	18.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Alias n. parte:	IQE030N06NM5SC SP005559064

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza OptiMOS™ 5

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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